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英特尔美光公布最新25nm 3-bit 闪存芯片
英特尔和美光公布了他们的3-bit MLC(多层单元)产品样片,透露出了英特尔企业级MLC闪存发展路线。

这两家公司都是应用25nm处理技术并且都是针对高速闪存卡市场。相比英特尔和美光64Gb MLC 产品,3-bit MLC闪存尺寸缩小20%,其核心面积仅为131平方毫米。他们声称这是当今世界上体积最小,密度最高的闪存卡。

MLC闪存被看作是打开闪存市场的金钥匙。但它也有严重的缺点,MLC闪存与昂贵的SLC(单层单元)闪存相比速度慢、持续能力差。随着时间的推移,人们发现了可以用额外的数据单元来弥补MLC的缺点。

现在,更好的控制器已经被设计出来了,它可以增加读写次数并且提高MLC性能。就在今天STEC公布了针对这些问题的CellCare技术和S.A.F.E技术。美光也提到了Nimbus Data在存储系统中应用了企业级闪存,同时,英特尔也要推出企业级X25- E产品。

闪存的存储数据单元越多价格就越便宜,因此在这方面3-bit MLC比2-bit MLC更具优势。

英特尔与美光表示,在二月他们把25nm处理技术应用到了2-bit MLC产品样片中。在去年八月,他们把34nm处理技术和USB thumb 驱动应用到了3-bit MLC产品样片中。6个月过去了,现在他们重新设计3-bit MLC 样片,看起来像是要进行实质性的产品改进。

现阶段,英特尔和美光有可能拓宽了企业级3-bit MLC产品技术。但谁又知道呢,他们的开发工程师还有可能破坏了技术核心。

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