根据国外媒体报道，东芝在5月11日于日本发布了其NAND闪存战略。东芝表示："硬盘和SSD的混合可以节省能源。相较HDD，混合式驱动器可以节约约百分之八十的能源。"

我们可以认为这是一种双层的设备，包括快速读取的闪存和速度较慢但拥有高容量的硬盘。访问闪存不需要磁头运动，这将节省能源。不过谁也不会想到其能够省下80%的能耗。这意味着硬盘在大部分时间内将被停转或降速。

东芝还表示，其正在考虑开发专为数据中心打造的固态硬盘（SSD），这意味着它会与STEC等厂商展开竞争。今年夏天，其将启动低于30nm的64位芯片的大规模生产。目前，东芝的工艺为32纳米芯片，其表示相同的微细加工技术可用于30nm以下工艺的产品生产过程。外界认为这一工艺可能是在29-25nm之间，甚至有可能达到24nm。

其NAND计划推出的芯片将为移动应用，高容量和高性能应用提供服务。单级单元（SLC）和部分多级单元（MLC）芯片产品将被用于高性能市场以及移动应用中。

东芝表示其也在考虑后快闪记忆体技术，其被称为BiCS（Bit Cost Scalable），也就是将存储单元进行多层次堆叠的技术。据了解，这一技术并非只是简单地一层层堆叠NAND单元，堆叠层之间还将穿插绝缘层。层中将打孔并掺入硅以支撑整个芯片。

金属层和支撑区域将组成一个闪存单元，这被东芝称为silicon-oxide-nitride-oxide-silicon（SONOS的）架构。这种产品为类似于闪存的块级寻址，而不是像相变存储器那类的字节寻址。

英特尔和Numonyx日前发布了其相变存储器堆叠技术，三星则在从NAND闪存方面赶超上来。

东芝公司表示，它会在年底前决定是否继续跟进BICS。